テラヘルツ帯（THz）検出器・発振器構造のMBE成長及びプロセス技術（MBE: Molecular Beam Epitaxy, 分子線エピタキシー技術）
概要
THz帯で動作する検出器・発振器は、ナノメートルオーダーの膜厚の異種半導体結晶を積層した多重量子井戸から成るため、その膜厚制御は非常に重要です。本研究室では、分子線エピタキシー装置（MBE: Molecular Beam Epitaxy、図1）を用いることにより、1原子層オーダーで制御された結晶成長を実現しています。
また、上記により作製された半導体エピウェハのデバイス化のため、同機構内にあるクリーンルーム（フォトニックデバイスラボ）を利用して、THz帯デバイスの作製を行っています（図2）。
超高真空中（<10-8 Pa）で、精密な成長膜厚制御が可能（成長速度～1原子層／sec）
上下の金属で半導体メサストライプを挟み込んだ構造となっている。