本文へ
文字サイズ:小文字サイズ:標準文字サイズ:大
  • English Top

Oバンド量子ドット光ゲインチップ

  • 印刷

1.3μm帯二電極量子ドットレーザーダイオード。

電界吸収素子(EA)をモノリシックに集積した二電極構造。

ゲインチップとしてSOAへの応用も可能。

超小型光コム発生器や、高速長距離光伝送に向けた変調器付レーザー光源としての応用が期待される。

Oバンド量子ドット光ゲインチップ  有償サンプル提供のご案内

1.価格

40,000円(税抜価格、1個の価格)

ご提供価格は製作実費で設定させていただいております。
 サンプル本体価格のほかに、消費税と送料をご負担いただきます。

2.寸法図


チップ外形寸法  1560um(L)×500um(W)×150um(t)
第二電極導波路長  220um
BCB導波路埋め込み角度  光軸に対し7度

寸法図

●関連ページ
 ・Characterization of Wavelength-Tunable Quantum Dot External Cavity Laser for 1.3-μm-Waveband Coherent Light Sources (NICT研究成果公開システム・ 英語ページ
  外部共振器型波長可変量子ドットコヒーレント光源の開発(NICT研究成果公開システム・ 日本語ページ
 ・Quantum Dot Optical Frequency Comb Laser with Mode-Selection Technique for 1-μm Waveband Photonic Transport System(NICT研究成果公開システム・ 英語ページ日本語ページ

3.サンプルの代表特性


●絶対最大定格

  Symbol Min Typ Max Unit
保存温度 TST 15   35 deg. C
動作温度 TOP-ABS 18 20 30 deg. C
最大光出力 P0-MAX   2   mW

●代表特性
  Symbol Min Typ Max Unit
動作温度条件 TOP   20   deg. C
動作電流 IOP   100   mA
中心波長 λ 1270   1315 nm
光帯域幅 ΔλCutoff   45   nm
光出力* P0 -3   3 dBm
ビーム発散角 θ//   50   deg
θ⊥   10   deg
※ 研究における試作物であるため、上記特性を保証するものではございません。
※ ご利用には研究、実験、評価等の目的を想定しております。品質、信頼性についての保証は致しかねますので、製品販売等の用途ではご利用いただけません。

4.提供可能なOバンド量子ドット光ゲインチップ ラインアップ

以下の寸法のOバンド量子ドット光ゲインチップも提供可能です。

  第二電極(EA)長

全長

 1560μm   80μm   120μm   150μm   220μm   0μm
 1950μm   120μm   150μm   220μm   300μm   0μm 
 3900μm   220μm   300μm   420μm   550μm   0μm
それぞれに対し導波路を光軸に対し0°と7°に配した物をお選びいただけます。

5.お申込み

 サンプル提供にあたっては、「研究成果物購入申込書」をご提出いただき、「研究成果物売買契約書」を締結します。
提供をご希望の方は、電子メールに「サンプル名称と数量と用途」を記載し、下記のお問合せ先あてに、ご連絡ください。折り返し、こちらからご連絡を差し上げます。

 なお、量子ドット光ゲインチップの自社製造や製品化についても、下記お問い合わせ先まで、ご連絡ください。

6.お申し込み・お問い合わせ先

イノベーション推進部門 知財活用推進室

TEL.042-327-6950
FAX.042-327-6659
E-mail: