アルファベットパターンを光記憶結晶にナノメートルスケールで描画
-微小な光による意思決定デバイスの実現につながる成果-
2018年10月4日
国立研究開発法人情報通信研究機構
国立大学法人山梨大学
学校法人龍谷大学
本研究のポイント
- フォトクロミック単結晶表面に近接場光でナノメートルスケールのパターンを描くことに成功
- 光で大きく構造を変える新規材料とナノメートルサイズの光(近接場光)を組み合わせることで実現
- 光の波長以下で動作するナノ光メモリとしての記録、消去の基本性能を確認
- 光反応と分子変形の釣り合いを活用して現実問題を解くナノサイズ光AIの実現につながる成果
1.概要
2.研究方法
(1) 光異性化に伴い大きな構造変化を示す分子の合成と結晶試料作製
(2) 光支援型原子間力顕微鏡による結晶表面の局所近接場光励起とその場観察
(3) 近接場光による局所光異性化の二次元的付与によるアルファベットパターンの形成と消去
3. 結果
(1) 近接場光を用いフォトクロミック結晶表面の直径約30nmの範囲に限定した光異性化に成功
(2) 近接場光を用いた局所光異性化によりアルファベットパターンの形成に成功
(3) 光異性化パターンを光励起により消去することに成功
4.今後の期待
原論文情報
補足説明
別紙
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