2026年7月22日
〜超薄・超低応力・高プロセス整合性・低コストな次世代 THz・赤外センシング基盤〜
国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院知能情報システム工学部門の張 亜准教授、同大学大学院工学府の趙 子豪氏、原田 和歩氏、劉 千氏、平川 一彦客員教授、国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT)の諸橋 功研究マネージャー、英国サウサンプトン大学の方 煦講師らの共同研究チームは、テラヘルツ(THz)波を約95%吸収する、スペーサーレス基板一体型メタサーフェス(substrate-integrated metasurface: SIM)吸収体を開発しました。従来の高性能な金属−絶縁体−金属(metal-insulator-metal: MIM)型吸収体では、金属層の間に絶縁体のスペーサー層注を追加する必要があり、その厚み、重さ、残留応力が、薄膜・微細構造のTHz検出器への組み込みを妨げていました。本研究では、シリコン基板に微細な凹凸を設け、基板自体を吸収構造の一部として利用することで、追加のスペーサー層なしに高い吸収率を実現しました。構造を薄く、軽く、低応力にでき、既存の半導体・MEMS工程とも組み合わせやすいため、MEMSボロメータなどを用いた高感度・高速・広帯域THz受信システムへの展開が期待されます。
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