毎秒80ギガビットのデータ伝送を可能にするシリコンCMOS集積回路を用いた300ギガヘルツ帯ワンチップトランシーバの開発に成功
2019年2月19日
国立研究開発法人情報通信研究機構
国立大学法人広島大学
パナソニック株式会社
開発のポイント
- ひとつの回路で送信と受信が可能なワンチップトランシーバを実現
これまでは送信と受信が別々のシリコンチップになっていましたが、今回は両機能を1つのシリコンチップに統合し「ワンチップトランシーバ(送受信)」を実現しました。これにより、電子機器に搭載する際の部品数の削減とシリコンチップ面積の削減によってコストダウンが可能となり、より実用化に有利となります。 - データ受信速度を大幅に向上することで毎秒80ギガビットのデータ伝送を可能に
これまで受信回路の性能制限により毎秒32ギガビットに留まっていましたが、受信回路の性能を向上させるとともに、送信回路にも改良を加え、トランシーバとして大幅なデータ伝送速度の向上を達成しました。

概要
開発の背景

今後の展開

©HIROSHIMA UNIVERSITY, NICT, PANASONIC, AND 123RF.COM.

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参考文献
研究に関するお問い合わせ先
国立大学法人広島大学大学院先端物質科学研究科 教授
藤島 実
電話:082-424-6269
E-mail:
報道関係者 お問い合わせ先
国立大学法人広島大学 財務・総務室広報部広報グループ
佐々木 和人
電話:082-424-3749
E-mail:
国立研究開発法人情報通信研究機構 広報部 報道室
電話:042-327-6923
E-mail:
パナソニック株式会社
オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 広報2課
電話:06-6904-4732