世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ開発に成功
~汎用性の高いデバイスプロセスを採用、低コストGa2O3パワーデバイス量産への道筋~
2018年12月12日
国立研究開発法人情報通信研究機構
国立大学法人東京農工大学
ポイント
- 高性能縦型酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ作製技術の開発に成功
- 独自開発したシリコン、窒素をそれぞれ用いたn, p型イオン注入ドーピング技術を採用
- 低コスト量産が可能、新半導体産業の創出、世界的規模での省エネ実現に期待
背景
今回の成果
![縦型Ga2O3トランジスタの光学顕微鏡写真 縦型Ga2O3トランジスタの光学顕微鏡写真](img/20181212-01.png)
今後の展望
本成果の掲載論文(Early Access版)
補足資料
今回開発に成功した縦型Ga2O3トランジスタ
![図1 作製した縦型Ga2O3トランジスタ構造の (a) 断面模式図、(b) 光学顕微鏡写真 図1 作製した縦型Ga2O3トランジスタ構造の (a) 断面模式図、(b) 光学顕微鏡写真](img/20181212-04.png)
![図2 縦型Ga2O3トランジスタの (a) 電流–電圧出力特性、(b) トランスファー特性(ドレイン電圧20 V) 図2 縦型Ga2O3トランジスタの (a) 電流–電圧出力特性、(b) トランスファー特性(ドレイン電圧20 V)](img/20181212-05.png)
用語解説
酸化ガリウム(Ga2O3)
![単結晶Ga2O3バルクの融液成長法の一例 単結晶Ga2O3バルクの融液成長法の一例](img/20181212-02.png)
![Siイオン注入ドーピングを用いて作製した横型Ga2O3トランジスタの(左)断面模式図、(右)光学顕微鏡写真 Siイオン注入ドーピングを用いて作製した横型Ga2O3トランジスタの(左)断面模式図、(右)光学顕微鏡写真](img/20181212-04a.png)
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