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  2. 先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2026開催
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開催趣旨

　先端ICTデバイスラボでは「デバイス技術の多様性」を重視し、革新的デバイスの総合的な研究開発を推進している。例えば光・電波融合等の集積デバイス技術、量子技術、センシング技術、医療応用、さらに新機能材料のデバイス応用等である。コレボレーションミーティングでは、先端ICTデバイスラボで創出される魅力あるデバイス研究成果等について議論するとともに、オープンプラットフォームとして有機的なコミュニケーションを図ることで新たなデバイス研究のアイディア創出をめざしている。 一方、AIの利活用拡大やAIに関連する半導体市場の動向、これらのニュースが社会をにぎわせている。ここには、陰に陽にデバイス基盤技術の研究開発が脈々と続けられてきた背景がある。新しいデバイス技術を創出し、高度化し、そして社会実装技術へと進化・昇華させることは、相当の時間と労力、さらに運が必要になると考えられる。本年のコラボレーションミーティングでは、デバイス基盤技術の社会実装にフォーカスし、社会実装技術へ至った実例や社会実装へ向けた取り組みなどをもとに議論する。これにより先端ICTデバイスラボで開発が進められているデバイス基盤技術の社会実装の可能性を探索することを目的とする。

開催概要

先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2024の様子

■主催：国立研究開発法人情報通信研究機構ネットワーク研究所先端ＩＣＴデバイスラボ
■日時：以下の日程で開催します。
　　　令和8年1月13日(火) 13時00分 ～ （開場12：30）
■場所：国立研究開発法人情報通信研究機構　本部
　　　　　当機構へのアクセスは⇒NICT本部 交通のご案内
　　　　：3号館1階　 セミナー室
　　　　：3号館1階　 エントランススペース
■参加費：無料
■参加方法：事前参加登録方式⇒定員となりましたら締め切らせていただきます。（定員：90名）

プログラム（敬称略）

令和8年1月13日(火) 13時00分 ～ (予定)（開場12：30）

12:30-  受付開始 
13:00-13:05

開会挨拶・先端ICTデバイスラボの紹介

 先端ICTデバイスラボ　ラボ長　山本 直克
13:05-13:45 招待講演
 半導体微細加工共用施設「東北大学試作コインランドリ」の紹介
  東北大学マイクロシステム融合研究開発センター センター長・教授 戸津 健太郎　様
13:45-14:25 招待講演
 MBE技術が拓く化合物半導体デバイスの創出と社会実装
 YITOAマイクロテクノロジー株式会社　プロセス技術部　副参事　加茂 喜彦　様
14:25-15:55  休憩・ポスターセッション 
15:55-16:35 招待講演
車載光ネットワーク用モジュールに対する標準化動向と開発について
 デクセリアルズ株式会社 シニアアドバイザー　太田 篤伸　様
16:35-17:15 招待講演
 準備中
  住友大阪セメント株式会社　新規技術研究所
17:15-17:20

講評・閉会挨拶

 ネットワーク研究所　
17:30-18:50

懇親会

 
 

ポスターセッション

番号 表題 発表者氏名 発表者 所属機関名
1 複数の可飽和吸収体を用いた多重積層量子ドットモードロックレーザの特性評価 簗瀬 智史 青山学院大学
2 SiベースMie共振メタサーフェスの作製に向けた基礎検討 小澤 雄輝 青山学院大学
3 Bi援用相互拡散法による低密度化量子ドットの光子寿命の特性評価 川本 青空 青山学院大学
4 1550nm帯QD-VECSELの特性評価のための検討 清水 陽斗 青山学院大学
5 T2SLによる10µm帯光検出器の開発 小見川 聡 青山学院大学
6 通信波長帯におけるQD-SOAの積層数の違いによる利得特性評価 田中 沙佳 青山学院大学
7 近赤外波長励起による高分解能ラマン測定の検討 渋谷 未来 青山学院大学
8 並列リッジ導波路構造による高出力量子ドットレーザーの作製 丸山 晴己 青山学院大学
9 異種集積プラットフォームに基づいたマルチレートハイブリッドレーザ 板谷 将宏 青山学院大学
10 SOI MEMS共振器を用いた室温テラヘルツ検出器の開発 竹内 遼太郎 東京農工大学
11 室温動作、超高感度テラヘルツ検出に向けたSiN MEMS共振器の開発 天野 湧登 東京農工大学
12 Suspended Graphene Photodetectors with Asymmetric Metal Contacts 楊壹為 東京農工大学
13 HVPE法によるNドープβ-Ga₂O₃(010)ホモエピタキシャル層の成長 角田 健太郎 東京農工大学
14 MOVPE法を用いたβ-Ga₂O₃縦型デバイス向けSiドープn型ドリフト層の成長 伊庭 義騎 東京農工大学
15 有機EOポリマーを用いたアンテナ結合型テラヘルツ光変調器の開発 梶 貴博 情報通信研究機構
16 有機EOポリマーを用いた光フェーズドアレイの開発 大友 明 情報通信研究機構
17 Beyond5G通信基盤を支えるミリ波～テラヘルツ波帯フレキシブル導波管基盤技術の研究開発 深川 馨介 ㈱米澤物産
18 量子井戸微小リング共振器型光変調器の設計および作製 佐藤 湧二郎 横浜国立大学
19 100,200,300GHz帯同時観測用 準光学周波数分離フィルターの性能評価 河本 琉風 大阪公立大学
20 次世代光通信のための超高速受光デバイスに関する基礎研究 梅沢 俊匡 情報通信研究機構
21 誘導自己組織化を用いたカーボンナノチューブ光デバイスの開発 遠山 優紀 早稲田大学大学院
22 単一半導体量子ドットにおける励起子分子２光子共鳴発光 三森 康義 北里大学
23 高電子移動度および低シート抵抗のためのAl₀.₂₅In₀.₇₅Sb/InSbヘテロ構造の成長条件最適化 町田 龍人 情報通信研究機構
24 Photon-Trapping Type Photodetector for High-Sensitivity and High-Speed Communication 原田 瞬 早稲田大学
25 テラヘルツ波発生用光デバイスの研究開発 古澤 健太郎, 岸本 直 情報通信研究機構
26 光無線給電用分布反射型InGaP太陽電池の入射レーザ強度依存性 金子 優翔 千葉工業大学
27 ALD成長Al2O3薄膜層を用いた半導体基板の表面活性化接合 齊藤 圭胡 千葉工業大学
28 InGaP太陽電池モジュールを用いた光無線給電の検討 平野 吟 千葉工業大学
29 常温接合を用いたp-InGaAs//n-InGaAs接合の低抵抗化 藤原 柊人 千葉工業大学
30 シリコンフォトニクスを用いた低閾値異種材料集積量子ドット波長可変レーザ 松本 敦 情報通信研究機構
31 テラヘルツエバネッセント波分光法の高感度化に関する研究 江島 昌輝 千葉工業大学
32 LMT-FINER Project: 電波天文用ミリ波帯広帯域受信機の開発 酒井 剛 電気通信大学
33 ダブルドープ GaInSb HEMTの高速・低消費電力動作 中島 渉 東京理科大学
34 1060nmシングルモードVCSELの反射率調整による特性への影響評価 永田 航己 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
35 不揮発性位相シフターに向けたHf0.5Zr0.5O2導波路の作製 藤谷 諭史 電気通信大学
36 Investigation on electrical properties of Ga₂O₃ (010) FinFETs with nitrogen radical irradiated gate sidewall interface Zhenwei Wang NICT
37 多重並列干渉構造を用いた高機能LN光変調器 榎原 晃 兵庫県立大学
38 Cryogenic on-wafer S-parameter measurements using self-made InP-CPW calibration standard to estimate fT of InGaAs-channel HEMTs 渡邊 一世 情報通信研究機構
39 180 nm CMOS プロセスを用いた高速4本腕バンディット問題ソルバ集積回路の設計 古田 智紀 明治大学
40 光電融合リザバーシステムの小型化に向けた積和演算回路とTIAの1チップ化 草野 圭祐 明治大学
41 無人航空機（ドローン）による施設の点検作業効率化に向けた取り組み 宮本 隆幸 情報通信研究機構
42 先端ICTデバイスラボ
デバイス研究のオープンイノベーション拠点		 吉沢 勝美 情報通信研究機構

参加申し込みはこちらから

先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2026　(参加申請)フォーム
※別途メールのご案内の中で添付のエクセルにて参加申し込みを行っている方はこちらのフォームからの再度登録は不要です。
※定員数90名

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